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PMCB60XNEZ

Name: Nexperia PMCB60XNEZ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMCB60XNEZ
Price: 0.56 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

771-PMCB60XNEZ

Fabr. N.º:

PMCB60XNEZ

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET SOT8026 N-CH 30V 3.5A

Hoja de datos:

PMCB60XNEZ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	0,568 €	0,57 €
	0,349 €	3,49 €
	0,308 €	15,40 €
	0,224 €	22,40 €
	0,223 €	44,60 €
	0,169 €	84,50 €
	0,137 €	137,00 €
	0,121 €	605,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)
	0,121 €	1.210,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DSN10063-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4.3 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	55 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 12 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.1 V
Qg (carga de compuertas):	5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Nexperia
Tiempo de caída:	74 ns
Transconductancia delantera: mín.:	6.7 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	40 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	107 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	20 ns
Alias de parte #:	934662892326

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Atributos seleccionados: 0

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Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables

Nexperia Small-Signal MOSFETs (SSMOS) for Portables offer WLCSP and leadless DFN packages for mobile and portable applications. The Nexperia SSMOS packages provide an extremely small DFN solution in today's commonly used pitch size of 0.35mm. An ideal replacement solution where space is paramount, these ultra-small packages offer significant space efficiency while providing minimal effort on assembly adjustment. Available in both N-channel and P-channel, all parts are equipped with ESD protection of >2kV and with a high power capability of >1300mW.