PJQ5526_R2_00201 MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Panjit MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Hoja de datos
2.996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060X-8 N-Channel 1 Channel 30 V 68 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit PJQ5526-R2-00201
Panjit MOSFET
Hoja de datos
N/A