PJQ4437EP_R2_00201 MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Panjit MOSFET 30V P-Channel Standard Trench MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 5.000
Múlt.: 5.000
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 38 A 15.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel
Panjit PJQ4437EP-R2-00201
Panjit MOSFET
Hoja de datos
N/A