PJQ4403P_R2_00001 MOSFET

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Panjit MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 115.814En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET DFN3333 P-CH 30V 35A N/A

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 35 A 15.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement