PJL9480_R2_00001 MOSFET

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Panjit MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 52 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 4 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel
Panjit MOSFET SOP8 150V 4A N-CH
Hoja de datos
N/A

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 4 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement