Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NXH011F120M3F2PTHG

Name: onsemi NXH011F120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 863-H011F120M3F2PTHG
Price: 109.54 EUR
Availability: InStock

Mouser REF:

863-H011F120M3F2PTHG

Fabr. N.º:

NXH011F120M3F2PTHG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Módulos MOSFET 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NXH011F120M3F2PTHG Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NXH011F120M3F2PTHG

En existencias: 12

Existencias:: 12 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 21 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	109,54 €	109,54 €
	108,37 €	1.083,70 €
	108,36 €	10.836,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Empaquetado / Estuche:	PIM-34
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	105 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	16 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 22 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.72 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	244 W
Serie:	NXH011F120M3F2PTHG
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Full Bridge
Tiempo de caída:	12.6 ns
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	12.7 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	20
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EliteSiC
Tipo:	Full Bridge
Tiempo típico de retraso de apagado:	110.5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30.9 ns
Vf - Tensión delantera:	5.21 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NXH011F120M3F2PTHG Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1

Los MOSFET SiC NXH0x0F120MNF1 de onsemi son módulos de alimentación que contienen un puente completo y un termistor en un paquete F1. Estos MOSFET cuentan con termistores y pines de acoplamiento a presión. Los módulos NXH0x0F120MNF1 proporcionan tanto material de interfaz térmica (TIM) preaplicado como opciones de TIM sin preaplicar. Estos módulos son ideales para su uso en inversores solares, sistemas de alimentación ininterrumpibles, estaciones de carga para vehículos eléctricos y alimentación industrial. Los módulos NXH0x0F120MNF1 no tienen plomo ni haluros, y cumplen lo establecido en la directiva RoHS. Estos módulos se suministran con un intervalo de temperaturas de almacenamiento comprendido entre -40°C y 150°C, y un intervalo de temperaturas de unión en funcionamiento comprendido entre -40°C y 175°C.