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NX6008NBKWX

Name: Nexperia NX6008NBKWX
Brand: Nexperia
SKU: 771-NX6008NBKWX
Price: 0.16 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

771-NX6008NBKWX

Fabr. N.º:

NX6008NBKWX

Fabr.:

Nexperia

Descripción:

MOSFET SOT363 N-CH 60V .25A

Hoja de datos:

NX6008NBKWX Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 74.970

Fecha prevista: 09/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 20

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,163 €	0,16 €
	0,123 €	1,23 €
	0,08 €	8,00 €
	0,05 €	25,00 €
	0,04 €	40,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,033 €	99,00 €
	0,029 €	174,00 €
	0,024 €	216,00 €
	0,023 €	552,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-323-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	250 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.8 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 8 V, 8 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	900 mV
Qg (carga de compuertas):	500 pC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	300 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	3 ns
Transconductancia delantera: mín.:	1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Trench MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	5 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	1 ns
Alias de parte #:	934662513115

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

NX6008NBKWX Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

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