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NVMYS8D0N04CTWG

Name: onsemi NVMYS8D0N04CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS8D0N04CTWG
Price: 1.31 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVMYS8D0N04CTWG

Fabr. N.º:

NVMYS8D0N04CTWG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V 8.0 mOhm 48A Single N-Channel

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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	0,808 €	8,08 €
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	0,421 €	210,50 €
	0,384 €	384,00 €
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	0,356 €	1.068,00 €
	0,343 €	2.058,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	49 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	8.1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	10 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	38 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	29 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Serie:	NVMYS8D0N04C
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	9.5 ns
Peso unitario:	75 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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