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NVMYS3D3N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS3D3N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS3D3N06CLTWG
Price: 1.94 EUR
Availability: Discontinued

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Mouser REF:

863-NVMYS3D3N06CLTWG

Fabr. N.º:

NVMYS3D3N06CLTWG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 60V 3mOhm 133A Single N-Channel

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Pedido:: 6.000

Fecha prevista: 17/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 19

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,94 €	1,94 €
	1,21 €	12,10 €
	0,857 €	85,70 €
	0,701 €	350,50 €
	0,637 €	637,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,637 €	1.911,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	133 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	40.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	100 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	96 ns
Transconductancia delantera: mín.:	130 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	58 ns
Serie:	NVMYS3D3N06CL
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	66 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Peso unitario:	75 mg

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Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.