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NVMYS021N06CLTWG

Name: onsemi NVMYS021N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMYS021N06CLTWG
Price: 0.92 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVMYS021N06CLTWG

Fabr. N.º:

NVMYS021N06CLTWG

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 60V 21mOhm 27A Single N-Channel

Hoja de datos:

NVMYS021N06CLTWG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 3.000

Fecha prevista: 26/05/2026
Plazo de producción de fábrica:: 19

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	0,929 €	0,93 €
	0,521 €	5,21 €
	0,433 €	43,30 €
	0,384 €	192,00 €
	0,329 €	329,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,283 €	849,00 €
	0,282 €	1.692,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	LFPAK-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	27 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	21 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	28 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	1.5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	37 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	12 ns
Serie:	NVMYS021N06CL
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	12 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4 ns
Peso unitario:	75 mg

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Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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