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NVMFWS1D1N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS1D1N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS1D1N04XMT1G
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-VMFWS1D1N04XMT1G

Fabr. N.º:

NVMFWS1D1N04XMT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NVMFWS1D1N04XMT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 6.000

Fecha prevista: 18/09/2026
Plazo de producción de fábrica:: 52

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	2,30 €	2,30 €
	1,47 €	14,70 €
	1,01 €	101,00 €
	0,833 €	416,50 €
	0,734 €	734,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,734 €	1.101,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFNW-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	233 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.05 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	49.3 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	104 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	152 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6.7 ns
Serie:	NVMFWS1D1N04XM
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	34.1 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	21.2 ns

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

NVMFWS1D1N04XMT1G Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.