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NVMFS6H818NLT1G

Name: onsemi NVMFS6H818NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H818NLT1G
Price: 4.59 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVMFS6H818NLT1G

Fabr. N.º:

NVMFS6H818NLT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T8 80V LL SO8FL

Hoja de datos:

NVMFS6H818NLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	3,06 €	30,60 €
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	2,11 €	1.055,00 €
	1,79 €	1.790,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	1,79 €	2.685,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8FL-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	135 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	3.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	64 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	140 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NVMFS6H818NL
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NVMFS6H818NLT1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMFS6H8x Power MOSFETs

onsemi NVMFS6H8x Power MOSFETs offer 80V, single N-channel, and a small footprint for a compact design. These power MOSFETs are available in 2.1mΩ, 2.8mΩ, 3.7mΩ, and 3.2mΩ R_DS(on)resistance ranges. Features include low R_DS(on) to minimize conduction losses, low Q_G, and low capacitance. The NVMFS6H8x power MOSFETs are RoHS compliant, PPAP capable, and AEC-Q101 qualified. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C operating temperature range.

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).