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NVMFS6H800NT1G

Name: onsemi NVMFS6H800NT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS6H800NT1G
Price: 5.04 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVMFS6H800NT1G

Fabr. N.º:

NVMFS6H800NT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET TRENCH 8 80V NFET

Hoja de datos:

NVMFS6H800NT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,04 €	5,04 €
	3,41 €	34,10 €
	2,47 €	247,00 €
	2,43 €	1.215,00 €
	2,41 €	2.410,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	2,07 €	3.105,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SO-8FL-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	203 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.1 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	85 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	200 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	85 ns
Transconductancia delantera: mín.:	138 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	89 ns
Serie:	NVMFS6H800N
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	97 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	25 ns
Peso unitario:	750 mg

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS6H8x Power MOSFETs

onsemi NVMFS6H8x Power MOSFETs offer 80V, single N-channel, and a small footprint for a compact design. These power MOSFETs are available in 2.1mΩ, 2.8mΩ, 3.7mΩ, and 3.2mΩ R_DS(on)resistance ranges. Features include low R_DS(on) to minimize conduction losses, low Q_G, and low capacitance. The NVMFS6H8x power MOSFETs are RoHS compliant, PPAP capable, and AEC-Q101 qualified. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C operating temperature range.

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).