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NVD5C668NLT4G

Name: onsemi NVD5C668NLT4G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVD5C668NLT4G
Price: 2.34 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NVD5C668NLT4G

Fabr. N.º:

NVD5C668NLT4G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T6 60V LL DPAK

Hoja de datos:

NVD5C668NLT4G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 2.500

Fecha prevista: 28/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 44

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-,-- €

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,34 €	2,34 €
	1,51 €	15,10 €
	1,04 €	104,00 €
	0,842 €	421,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,715 €	1.787,50 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	49 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1.2 V
Qg (carga de compuertas):	18.7 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	44 W
Modo canal:	Enhancement
Cualificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	62 ns
Transconductancia delantera: mín.:	60 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	74 ns
Serie:	NVD5C668NL
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	26 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns
Peso unitario:	330 mg

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NVD5C Power MOSFETs

onsemi NVD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified and offer robust solutions for automotive applications. NVD5C Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, surface-mount DPAK package and are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.