Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NTTFSSH1D3N04XL

Name: onsemi NTTFSSH1D3N04XL
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSH1D3N04XL
Price: 2.39 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NTTFSSH1D3N04XL

Fabr. N.º:

NTTFSSH1D3N04XL

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NTTFSSH1D3N04XL Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NTTFSSH1D3N04XL

En existencias: 2.368

Existencias:: 2.368 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 24 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,39 €	2,39 €
	1,55 €	15,50 €
	1,11 €	111,00 €
	0,929 €	464,50 €
	0,855 €	855,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,727 €	2.181,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WDFN-9
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	207 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	28 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	107 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	123 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	5 ns
Serie:	NTTFSSH1D3N04XL
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	43 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	18 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NTTFSSH1D3N04XL Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.