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NTTFSSCH0D7N02X

Name: onsemi NTTFSSCH0D7N02X
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFSSCH0D7N02X
Price: 2.21 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTTFSSCH0D7N02X

Fabr. N.º:

NTTFSSCH0D7N02X

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T10 25V PC33 SOURCE DOWN DUAL COOL GEN 2

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

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	2,21 €	2,21 €
	1,43 €	14,30 €
	1,02 €	102,00 €
	0,851 €	425,50 €
	0,81 €	810,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,688 €	3.440,00 €
	0,671 €	6.710,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	WDFN-9
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	25 V
Id: corriente de drenaje continuo:	310 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	580 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 12 V, 16 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	33 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	87 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	57 ns
Transconductancia delantera: mín.:	190 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Serie:	NTTFSSCH0D7N02X
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	26 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	4 ns

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Atributos seleccionados: 0

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NTTFSSCH0D7N02X Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.