NTMYS014N06CLTWG

onsemi
863-NTMYS014N06CLTWG
NTMYS014N06CLTWG

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 2.847

Existencias:
2.847 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
1,59 € 1,59 €
1,01 € 10,10 €
0,681 € 68,10 €
0,539 € 269,50 €
0,496 € 496,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,434 € 1.302,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
60 V
36 A
15 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
9.7 nC
- 55 C
+ 175 C
37 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 6 ns
Transconductancia delantera: mín.: 43 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 13 ns
Serie: NTMYS014N06CL
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 25 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 7 ns
Peso unitario: 75 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

LFPAK4 Industrial N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Industrial N-channel Power MOSFETs are single MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These industrial-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide, -55°C to +175°C operating temperature range.