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NTMFS4D5N08XT1G

Name: onsemi NTMFS4D5N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D5N08XT1G
Price: 1.38 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

863-NTMFS4D5N08XT1G

Fabr. N.º:

NTMFS4D5N08XT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NTMFS4D5N08XT1G Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 1.500

Fecha prevista: 03/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 23

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Precio total:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,38 €	1,38 €
	0,877 €	8,77 €
	0,589 €	58,90 €
	0,482 €	241,00 €
	0,422 €	422,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,389 €	583,50 €
	0,353 €	1.059,00 €
	0,35 €	3.150,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	80 V
Id: corriente de drenaje continuo:	94 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	4.5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.6 V
Qg (carga de compuertas):	15 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	82 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	30 ns
Transconductancia delantera: mín.:	61 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	24 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	16 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns

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Hoja de datos

NTMFS4D5N08XT1G Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

T10 Low/Medium Voltage MOSFETs

onsemi T10 Low/Medium Voltage MOSFETs are single N-channel power MOSFETs in 40V and 80V categories with improved performance, enhanced system efficiency, and high power density. These power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. The T10 low/medium voltage MOSFETs provide low Q_RRand a soft recovery body diode. These MOSFETs comply with the RoHS and are Pb-free and Halogen-free/BFR-free. Typical applications include Synchronous Rectification (SR) in DC-DC and AC-DC converters, the primary switch in an isolated DC-DC converter, battery protection, and motor drives.