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NTMFS1D3N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS1D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS1D3N04XMT1G
Price: 1.66 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMFS1D3N04XMT1G

Fabr. N.º:

NTMFS1D3N04XMT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE

Hoja de datos:

NTMFS1D3N04XMT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	1,66 €	1,66 €
	1,20 €	12,00 €
	0,824 €	82,40 €
	0,673 €	336,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,63 €	945,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	195 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	38.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	90 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5.47 ns
Transconductancia delantera: mín.:	105 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6.27 nC
Serie:	NTMFS1D3N04XM
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	29.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	20 ns

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Product Change Notification 2024-02-06 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.