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NTMFS0D9N04XLT1G

Name: onsemi NTMFS0D9N04XLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D9N04XLT1G
Price: 2.7 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMFS0D9N04XLT1G

Fabr. N.º:

NTMFS0D9N04XLT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V T10S IN S08FL PACKAGE

Hoja de datos:

NTMFS0D9N04XLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 1.500

Fecha prevista: 17/02/2027
Plazo de producción de fábrica:: 27

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,70 €	2,70 €
	1,79 €	17,90 €
	1,25 €	125,00 €
	1,06 €	530,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,894 €	1.341,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	278 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	900 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	70 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	136 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	178 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	6 ns
Serie:	NTMFS0D9N04XL
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	53 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	21 ns

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Atributos seleccionados: 0

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NTMFS0D9N04XLT1G Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.