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NTMFS0D6N04XMT1G

Name: onsemi NTMFS0D6N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS0D6N04XMT1G
Price: 2.57 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTMFS0D6N04XMT1G

Fabr. N.º:

NTMFS0D6N04XMT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE

Hoja de datos:

NTMFS0D6N04XMT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 1.500

Fecha prevista: 17/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 34

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,57 €	2,57 €
	1,68 €	16,80 €
	1,16 €	116,00 €
	0,963 €	481,50 €
	0,826 €	826,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,818 €	1.227,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	380 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	570 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	86.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	150 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15.3 ns
Transconductancia delantera: mín.:	175 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	15.6 ns
Serie:	NTMFS0D6N04XM
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	58.2 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	33.9 ns

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PCN

Product Change Notification 2025-9-30 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

40V Power MOSFETs

onsemi 40V Power MOSFETs feature standard gate-level technology and boast best-in-class on-resistance. The onsemi MOSFETs are designed for motor driver applications. The devices effectively minimize conduction and driving losses with lower on-resistance and reduced gate charge. Additionally, the MOSFETs provide excellent softness control for body diode reverse recovery, effectively mitigating voltage spike stress without needing an extra snubber circuit in applications.