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NTB011N15MC

Name: onsemi NTB011N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTB011N15MC
Price: 3.59 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NTB011N15MC

Fabr. N.º:

NTB011N15MC

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET PTNG 150V N-FET D2PAK

Hoja de datos:

NTB011N15MC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	3,59 €	3,59 €
	2,51 €	25,10 €
	2,15 €	215,00 €
	2,11 €	1.055,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	2,06 €	1.648,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	75.4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	10.9 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	37 nC
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	3.75 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTB011N15MC
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NTB011N15MC Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel MOSFETs that minimize on-state resistance and maintain superior switching performance with best-in-class soft body diode. These MOSFET offers lower Q_rr compared to other MOSFETs. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs lower switching noise/electromagnetic interference (EMI). These MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. The Shielded Gate PowerTrench MOSFETs come in a small PQFN8 package with 5mm x 6mm dimensions for compact designs. Typical applications include synchronous rectification (SR), AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB Power Delivery) SR, and load switches.