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NSVMUN5213DW1T3G

Name: onsemi NSVMUN5213DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMUN5213DW1T3G
Price: 0.23 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NSVMUN5213DW1T3G

Fabr. N.º:

NSVMUN5213DW1T3G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Transistores digitales SS SC88 BR XSTR NPN 50V

Hoja de datos:

NSVMUN5213DW1T3G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	0,232 €	0,23 €
	0,142 €	1,42 €
	0,089 €	8,90 €
	0,065 €	32,50 €
	0,052 €	52,00 €
	0,045 €	225,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 10000)
	0,036 €	360,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores digitales
RoHS:
Configuración:	Dual
Polaridad de transistor:	NPN
Resistencia típica de entrada:	47 kOhms
Ratio típica de resistencia:	1
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOT-363-6
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	80
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	50 V
Corriente continua del colector:	100 mA
Pd (disipación de potencia):	250 mW
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	MUN5213DW1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Rango de temperatura de operación:	- 55 C to + 150 C
Tipo de producto:	Digital Transistors
Cualificación:	AEC-Q101
Cantidad del paquete de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	6,200 mg

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

NSVMUN5213DW1T3G Hoja de datos

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Dual NPN Bipolar Digital Transistors

onsemi Dual NPN Bipolar Digital Transistors are designed to replace a single device and the additional external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors (a series base resistor and a base-emitter resistor). By integrating these individual components into a single device, the BRT on these onsemi NPN Bipolar Digital Transistors simplifies circuit design and eliminates them. A BRT also reduces system cost and board space.