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NSS40301MDR2G

Name: onsemi NSS40301MDR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSS40301MDR2G
Price: 1.16 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NSS40301MDR2G

Fabr. N.º:

NSS40301MDR2G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8

Hoja de datos:

NSS40301MDR2G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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-,-- €

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,16 €	1,16 €
	0,732 €	7,32 €
	0,484 €	48,40 €
	0,378 €	189,00 €
	0,344 €	344,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,306 €	765,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-8
Polaridad de transistor:	NPN
Configuración:	Dual
Corriente del colector DC máxima:	3 A
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	40 V
Voltaje colector-base VCBO:	40 V
Voltaje emisor-base VEBO:	6 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	82 mV
Pd (disipación de potencia):	783 mW
Producto fT para ganancia de ancho de banda:	100 MHz
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Serie:	NSS40301MD
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	200 at 10 mA, 2 V, 200 at 500 mA, 2 V, 180 at 1 A, 2 V, 180 at 2 A, 2 V
Ganancia de corriente DC hFE Máx.:	200 at 10 mA, 2 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Peso unitario:	143 mg

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PCN

SPICE Models

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

e2PowerEdge Low VCE(sat) Transistors

onsemi e2PowerEdge Low V_CE(sat) Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra-low saturation voltage (V_CE(sat)) and high current gain capability. These are designed for low-voltage, high-speed switching applications where affordable, efficient energy control is essential. Typical applications are DC−DC converters and power management in portable and battery-powered products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras, and MP3 players. Other applications are low-voltage motor controls in mass storage products such as disc and tape drives. These can be used for airbag deployment and instrument clusters in the automotive industry. The high current gain allows onsemi e2PowerEdge devices to be driven directly from PMU’s control outputs, and the linear gain (Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.