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MSC080SMB120B4N

Name: Microchip MSC080SMB120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC080SMB120B4N
Price: 5.4 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

579-MSC080SMB120B4N

Fabr. N.º:

MSC080SMB120B4N

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

MSC080SMB120B4N Hoja de datos (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	30 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	107 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, + 21 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	34 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	161 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	8 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	17 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SIC de 1200 V

Los MOSFET SIC de 1200 V de Microchip Technology ofrecen una alta eficiencia en una solución más ligera y compacta. Los dispositivos proporcionan una baja resistencia de puerta interna (ESR), lo que se traduce en una velocidad de conmutación rápida. Los MOSFET son fáciles de accionar y de conectar en paralelo, con capacidades térmicas optimizadas y menores pérdidas de conmutación.