Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

MSC031SMC120B4N

Name: Microchip MSC031SMC120B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC031SMC120B4N
Price: 11.33 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

579-MSC031SMC120B4N

Fabr. N.º:

MSC031SMC120B4N

Fabr.:

Microchip Technology

Descripción:

MOSFET de SiC MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

MSC031SMC120B4N Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Microchip Technology MSC031SMC120B4N

Disponibilidad

Existencias:: No en almacén

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: Solicitar entrega estimada

Introducir cantidad:

Mínimo: 60 Múltiples: 60

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	11,33 €	679,80 €
	9,86 €	1.183,20 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	72 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	42 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 10 V, 21 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5 V
Qg (carga de compuertas):	70 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	326 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	16 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	30 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	18 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MSC031SMC120B4N Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

ECCN:: EAR99

1200V SIC MOSFETs

Microchip Technology 1200V SIC MOSFETs offer high efficiency in a lighter, more compact solution. The devices supply low internal gate resistance (ESR), resulting in a fast switching speed. The MOSFETs are simple to drive and easy to parallel, with improved thermal capabilities and lower switching losses.