MR25H128ACDFR

Everspin Technologies
936-MR25H128ACDFR
MR25H128ACDFR

Fabr.:

Descripción:
MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 4000   Múltiples: 4000
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Precio total:
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Tarifa estimada:
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Precio (EUR)

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4,09 € 16.360,00 €

Empaquetado alternativo

Fabr. N.º Ref.:
Embalaje:
Tray
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
4,82 €
Min:
1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Everspin Technologies
Categoría de producto: MRAM
RoHS:  
DFN-8
SPI
128 kbit
16 k x 8
8 bit
2.7 V
3.6 V
6 mA, 23 mA
- 40 C
+ 85 C
MR25H128A
Reel
Marca: Everspin Technologies
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Pd (disipación de potencia): 600 mW
Tipo de producto: MRAM
Cantidad del paquete de fábrica: 4000
Subcategoría: Memory & Data Storage
Nombre comercial: Serial I/O (SPI)
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542320000
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.