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MR0A08BCYS35

Name: Everspin Technologies MR0A08BCYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR0A08BCYS35
Price: 20.81 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

936-MR0A08BCYS35

Fabr. N.º:

MR0A08BCYS35

Fabr.:

Everspin Technologies

Descripción:

MRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM

Hoja de datos:

MR0A08BCYS35 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	20,81 €	20,81 €
	19,28 €	192,80 €
	18,67 €	466,75 €
	18,21 €	910,50 €
	17,57 €	1.757,00 €
	17,12 €	4.622,40 €
	15,67 €	8.461,80 €
1.080	Cotización

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Everspin Technologies
Categoría de producto:	MRAM
RoHS:
Empaquetado / Estuche:	TSOP-II-44
Tipo de interfaz:	Parallel
Tamaño de memoria:	1 Mbit
Organización:	128 k x 8
Anchura de bus de datos:	8 bit
Tiempo de acceso:	35 ns
Tensión del suministro - Mín:	3 V
Tensión del suministro - Máx:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	25 mA, 55 mA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	MR0A08B
Empaquetado:	Tray
Marca:	Everspin Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Pd (disipación de potencia):	600 mW
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	135
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	Parallel I/O (x8)
Peso unitario:	5,066 g

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

MR0A08BCYS35 Hoja de datos (PDF)

PCN

Alternative Format for Trace Codes (PDF)

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance.