MMBT5551W_R1_00701 Transistores bipolares - BJT

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Configuración Voltaje colector-emisor VCEO máx. Voltaje colector-base VCBO Voltaje emisor-base VEBO Voltaje de saturación colector-emisor Pd (disipación de potencia) Producto fT para ganancia de ancho de banda Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Panjit Transistores bipolares - BJT NPN HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 29.441En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 NPN Single 160 V 180 V 6 V 200 mV 200 mW 300 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MMBT5551W-R1-00701
Panjit Transistores bipolares - BJT N/A