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MJD31CHQ-13

Name: Diodes Incorporated MJD31CHQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MJD31CHQ-13
Price: 0.69 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

621-MJD31CHQ-13

Fabr. N.º:

MJD31CHQ-13

Fabr.:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistores bipolares - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Hoja de datos:

MJD31CHQ-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	0,433 €	4,33 €
	0,281 €	28,10 €
	0,215 €	107,50 €
	0,194 €	194,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,169 €	422,50 €
	0,148 €	740,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistores bipolares - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252-3
Polaridad de transistor:	NPN
Configuración:	Single
Voltaje colector-emisor VCEO máx.:	100 V
Voltaje colector-base VCBO:	120 V
Voltaje emisor-base VEBO:	7 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.2 V
Pd (disipación de potencia):	2.6 W
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Cualificación:	AEC-Q100
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diodes Incorporated
Corriente continua del colector:	3 A
Colector CC/Ganancia base hfe Min:	10 V
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors

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MJD31CHQ-13 Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-10-15 (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.