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MASTERGAN4

Name: STMicroelectronics MASTERGAN4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN4
Price: 5.69 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

511-MASTERGAN4

Fabr. N.º:

MASTERGAN4

Fabr.:

STMicroelectronics

Descripción:

Controlador de puerta High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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-,-- €

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	5,69 €	5,69 €
	4,36 €	43,60 €
	4,03 €	100,75 €
	3,66 €	366,00 €
	3,49 €	872,50 €
	3,39 €	1.695,00 €
	3,35 €	3.350,00 €
	3,30 €	8.250,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	QFN-31
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	3 Output
Corriente de salida:	6.5 A
Tensión del suministro - Mín:	3.3 V
Tensión del suministro - Máx:	15 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Empaquetado:	Tray
Marca:	STMicroelectronics
Características:	600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Voltaje de entrada - Máx:	15 V
Voltaje de entrada - Mín:	3.3 V
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	225 mOhms
Cantidad del paquete de fábrica:	1560
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Peso unitario:	150 mg

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Hoja de datos

MASTERGAN4 Hoja de datos (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Taiwán
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an R_DS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.