MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

Fabr.:

Descripción:
Controlador de puerta 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

Modelo ECAD:
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En existencias: 1.274

Existencias:
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Plazo de producción de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
6,14 € 6,14 €
4,74 € 47,40 €
4,39 € 109,75 €
4,01 € 401,00 €
3,82 € 955,00 €
3,71 € 1.855,00 €
3,62 € 3.620,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
3,50 € 10.500,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Controlador de puerta
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Marca: STMicroelectronics
Tiempo de retraso de apagado máximo: 45 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo: 45 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 10 A
Pd (disipación de potencia): 40 mW
Tipo de producto: Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.): 70 ns
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 330 mOhms
Apagado: Shutdown
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: GaN
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.