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LF2113BTR

Name: IXYS LF2113BTR
Brand: IXYS Integrated Circuits
SKU: 747-LF2113BTR
Price: 2.22 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-LF2113BTR

Fabr. N.º:

LF2113BTR

Fabr.:

IXYS Integrated Circuits

Descripción:

Controlador de puerta HI LO Side DRVR 600V 2A SOIC-16

Hoja de datos:

LF2113BTR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,22 €	2,22 €
	1,66 €	16,60 €
	1,51 €	37,75 €
	1,36 €	136,00 €
	1,28 €	320,00 €
	1,25 €	625,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	1,25 €	1.875,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Controlador de puerta
RoHS:
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	SOIC-16
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Tensión del suministro - Mín:	10 V
Tensión del suministro - Máx:	20 V
Tiempo de establecimiento:	15 ns
Tiempo de caída:	13 ns
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	IXYS Integrated Circuits
Tipo lógico:	CMOS
Tiempo de retraso de apagado máximo:	94 ns
Tiempo de retraso de encendido máximo:	105 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Corriente de suministro operativa:	56 uA
Pd (disipación de potencia):	1.25 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retardo de propagación (máx.):	20 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Gate Drivers for N-Channel MOSFETs & IGBTs

IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs include high-voltage high-speed gate drivers and three-phase gate driver ICs. These devices are designed to drive two N-channel MOSFETs or IGBTs in a half-bridge configuration or high-side / low-side configuration. The high-voltage technology enables the high side to switch to 600V in a bootstrap operation. The drivers provide feature high pulse current buffers designed for minimum driver cross conduction. Other features include logic inputs with 3.3V capability, Schmitt triggered logic inputs, and undervoltage lockout (UVLO) protection. IXYS Gate Drivers for N-Channel MOSFETs and IGBTs operate over an extended temperature range of -40°C to +125°C.

High-Side & Low-Side Gate Driver ICs

IXYS High-Side and Low-Side Gate Driver ICs offer 600mA/290mA to 4.5A/4.5A sink/source output current capabilities. The devices feature a wide operating voltage range of 10V to 20V. Protections include undervoltage lockout (UVLO) and shoot-through. IXYS High-Side and Low-Side Gate Driver ICs operate in a -40°C to +125°C temperature range and are available in SOIC-8, -14, -16 industry-standard packages and pin-outs.