KTDM8G4B632BGCBCT

Name: SMART KTDM8G4B632BGCBCT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-KTDM8G4B63BGCBCT
Price: 10.83 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

473-KTDM8G4B63BGCBCT

Fabr. N.º:

KTDM8G4B632BGCBCT

Fabr.:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DDR4, 8Gb, 512Mbx16, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 96-ball FBGA, Commercial temp

Hoja de datos:

KTDM8G4B632BGCBCT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre SMARTsemi KTDM8G4B632BGCBCT

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	10,83 €	10,83 €
	10,05 €	100,50 €
	9,74 €	243,50 €
	9,51 €	475,50 €
	9,28 €	928,00 €
	8,98 €	2.245,00 €
	8,75 €	4.375,00 €
	8,69 €	8.690,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR4
Tamaño de memoria:	8 Gbit
Anchura de bus de datos:	16 bit
Frecuencia máxima de reloj:	1.6 GHz
Empaquetado / Estuche:	FBGA-96
Organización:	512 M x 16
Tensión del suministro - Mín:	1.14 V
Tensión del suministro - Máx:	1.26 V
Temperatura operativa mínima:	0 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Marca:	SMARTsemi
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Subcategoría:	Memory & Data Storage

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

KTDM8G4B632BGCBCT Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).