KTDM4G4B626BGCEAT

Name: SMART KTDM4G4B626BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M4G4B626BGCEAT
Price: 8.63 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

473-M4G4B626BGCEAT

Fabr. N.º:

KTDM4G4B626BGCEAT

Fabr.:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial

Hoja de datos:

KTDM4G4B626BGCEAT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	8,02 €	80,20 €
	7,77 €	194,25 €
	7,59 €	379,50 €
	7,40 €	740,00 €
	7,16 €	1.417,68 €
	6,97 €	4.140,18 €
	6,93 €	8.232,84 €
2.574	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR4
Tamaño de memoria:	4 Gbit
Anchura de bus de datos:	16 bit
Frecuencia máxima de reloj:	1.333 GHz
Empaquetado / Estuche:	FBGA-96
Organización:	256 M x 16
Tensión del suministro - Mín:	1.14 V
Tensión del suministro - Máx:	1.26 V
Temperatura operativa mínima:	0 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Empaquetado:	Tray
Marca:	SMARTsemi
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	198
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of V_DD = 1.2V ± 5%, and V_PP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).