KTDM2G3C818BGCEAT

Name: SMART KTDM2G3C818BGCEAT
Brand: SMARTsemi
SKU: 473-M2G3C818BGCEAT
Price: 8.63 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

473-M2G3C818BGCEAT

Fabr. N.º:

KTDM2G3C818BGCEAT

Fabr.:

SMARTsemi

Descripción:

DRAM DRAM DDR3(L) 2GB 256MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Commercial

Hoja de datos:

KTDM2G3C818BGCEAT Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre SMARTsemi KTDM2G3C818BGCEAT

En existencias: 210

Existencias:: 210 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.

Las cantidades mayores que 210 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	8,63 €	8,63 €
	8,02 €	80,20 €
	7,77 €	194,25 €
	7,59 €	379,50 €
	7,40 €	740,00 €
	7,16 €	1.503,60 €
	6,97 €	2.927,40 €
	6,93 €	7.276,50 €
2.520	Cotización

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SMART
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	SDRAM - DDR3L
Tamaño de memoria:	2 Gbit
Anchura de bus de datos:	8 bit
Frecuencia máxima de reloj:	933 MHz
Empaquetado / Estuche:	FBGA-78
Organización:	256 M x 8
Tensión del suministro - Mín:	1.283 V
Tensión del suministro - Máx:	1.575 V
Temperatura operativa mínima:	0 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Serie:	KTDM
Empaquetado:	Tray
Marca:	SMARTsemi
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad del paquete de fábrica:	210
Subcategoría:	Memory & Data Storage

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

KTDM2G3C818BGCEAT Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

DDR3 Memory ICs

SMARTsemi DDR3 Memory ICs feature a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The ICs achieve high-speed double-data-rate transfer rates of up to 1866Mb/sec/pin for general applications. The chip is designed to comply with all key DDR3(L) DRAM key features, and all control and address inputs are synchronized with a pair of externally supplied differential clocks.