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IXTT1N450HV

Name: IXYS IXTT1N450HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTT1N450HV
Price: 41.81 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXTT1N450HV

Fabr. N.º:

IXTT1N450HV

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 4500V 1A HV Power MOSFET

Hoja de datos:

IXTT1N450HV Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 116

Fecha prevista: 07/08/2026
Plazo de producción de fábrica:: 57

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	41,81 €	41,81 €
	32,62 €	326,20 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	4.5 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	3 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	80 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3.5 V
Qg (carga de compuertas):	46 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	520 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	120 ns
Transconductancia delantera: mín.:	0.4 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	43 ns
Serie:	IXTT1N450
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	73 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	30 ns
Peso unitario:	4 g

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Atributos seleccionados: 0

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IXTT1N450HV Hoja de datos

PCN

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TARIC:: 8541900000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.