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IXTF02N450

Name: IXYS IXTF02N450
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTF02N450
Price: 38.72 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

747-IXTF02N450

Fabr. N.º:

IXTF02N450

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET

Hoja de datos:

IXTF02N450 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Pedido:: 136

Fecha prevista: 26/06/2026

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	38,72 €	38,72 €
	29,02 €	290,20 €
	28,71 €	2.871,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	ISOPLUS-i4-PAK-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	4.5 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	200 mA
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	625 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4 V
Qg (carga de compuertas):	10.6 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	78 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	143 ns
Transconductancia delantera: mín.:	90 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	48 ns
Serie:	IXTF02N450
Cantidad del paquete de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	28 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	17 ns
Peso unitario:	6,500 g

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PCN

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.