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IXSH20N120L2KHV

Name: IXYS IXSH20N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH20N120L2KHV
Price: 5.07 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXSH20N120L2KHV

Fabr. N.º:

IXSH20N120L2KHV

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET de SiC SiC MOSFET in TO247-4L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IXSH20N120L2KHV Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	3,83 €	38,30 €
	3,10 €	310,00 €
	2,74 €	1.233,00 €
	2,35 €	2.115,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-4
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	208 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	29 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	136 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10.4 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	10.8 ns
Serie:	IXSxNxL2Kx
Cantidad del paquete de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	8.4 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	2.8 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).