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IXSA20N120L2-7TR

Name: IXYS IXSA20N120L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA20N120L2-7TR
Price: 5.31 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXSA20N120L2-7TR

Fabr. N.º:

IXSA20N120L2-7TR

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET de SiC SiC MOSFET in TO263

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IXSA20N120L2-7TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	5,31 €	5,31 €
	4,08 €	40,80 €
	3,29 €	329,00 €
	2,92 €	1.460,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	2,50 €	2.000,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	20 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	208 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	29 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	136 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	13 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	10.4 ns
Serie:	IXSxNxL2Kx
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	2.4 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).