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IXSA110N65L2-7TR

Name: IXYS IXSA110N65L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSA110N65L2-7TR
Price: 9.56 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXSA110N65L2-7TR

Fabr. N.º:

IXSA110N65L2-7TR

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET de SiC 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

IXSA110N65L2-7TR Hoja de datos (PDF)

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Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	9,56 €	9,56 €
	7,30 €	73,00 €
	6,09 €	609,00 €
	5,31 €	2.655,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 800)
	4,60 €	3.680,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-263-7L
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	111 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	33 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 5 V, + 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.5 V
Qg (carga de compuertas):	125 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	600 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	11.5 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de establecimiento:	23.4 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	35.1 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	13 ns

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IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).