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IXFH90N65X3

Name: IXYS IXFH90N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH90N65X3
Price: 15.84 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFH90N65X3

Fabr. N.º:

IXFH90N65X3

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247

Hoja de datos:

IXFH90N65X3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	15,84 €	15,84 €
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	9,63 €	1.155,60 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	90 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	33 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.2 V
Qg (carga de compuertas):	95 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	960 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia delantera: mín.:	38 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	11 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	63 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	28 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel, enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X3-Class provides high power density and is easy to mount, all in a space-saving package. The IXYS X3-Class MOSFETs are ideal for switch-mode and resonant-mode power supplies.