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IXFH34N65X3

Name: IXYS IXFH34N65X3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH34N65X3
Price: 7.02 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

747-IXFH34N65X3

Fabr. N.º:

IXFH34N65X3

Fabr.:

IXYS

Descripción:

MOSFET TO247 650V 34A N-CH X3CLASS

Hoja de datos:

IXFH34N65X3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	4,34 €	43,40 €
	4,21 €	505,20 €
	3,60 €	1.836,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	650 V
Id: corriente de drenaje continuo:	34 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	100 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.2 V
Qg (carga de compuertas):	29 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	446 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	13 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	10 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	47 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	24 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel, enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X3-Class provides high power density and is easy to mount, all in a space-saving package. The IXYS X3-Class MOSFETs are ideal for switch-mode and resonant-mode power supplies.