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ISC104N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC104N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC104N12LM6ATMA
Price: 1.55 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-ISC104N12LM6ATMA

Fabr. N.º:

ISC104N12LM6ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET IFX FET >100-150V

Hoja de datos:

ISC104N12LM6ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,55 €	1,55 €
	1,15 €	11,50 €
	0,903 €	90,30 €
	0,767 €	383,50 €
	0,734 €	734,00 €
	0,732 €	1.830,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,685 €	3.425,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TDSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	120 V
Id: corriente de drenaje continuo:	63 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	10.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	10.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	94 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	30 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2.5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	14 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6 ns
Alias de parte #:	ISC104N12LM6 SP005586043

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen las innovaciones más recientes y el rendimiento más elevado. La familia OptiMOS 6 utiliza una tecnología de lámina fina que permite obtener beneficios importantes en el rendimiento. En comparación con productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen un R_DS(ON) un 30 % inferior y están optimizados para rectificación síncrona.

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies ofrecen una baja resistencia de activación en un paquete sin plomo SuperSO8. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento en aplicaciones industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible con MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V, en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). En comparación con los paquetes estándar de contorno de transistores (TO), el SuperSO8 aumenta la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento.