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ISC104N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC104N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC104N12LM6ATMA
Price: 2.24 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-ISC104N12LM6ATMA

Fabr. N.º:

ISC104N12LM6ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET IFX FET >100-150V

Hoja de datos:

ISC104N12LM6ATMA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TDSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	120 V
Id: corriente de drenaje continuo:	63 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	10.4 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	10.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	94 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	30 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2.5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	14 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	6 ns
Alias de parte #:	ISC104N12LM6 SP005586043

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ISC104N12LM6ATMA1 Hoja de datos (PDF)

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Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Austria
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: Alemania

El país puede cambiar en el momento del envío.

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies ofrecen una baja resistencia de activación en un paquete sin plomo SuperSO8. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento en aplicaciones industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible con MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V, en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). En comparación con los paquetes estándar de contorno de transistores (TO), el SuperSO8 aumenta la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento.

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen las innovaciones más recientes y el rendimiento más elevado. La familia OptiMOS 6 utiliza una tecnología de lámina fina que permite obtener beneficios importantes en el rendimiento. En comparación con productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen un R_DS(ON) un 30 % inferior y están optimizados para rectificación síncrona.

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80V, N-channel, normal level devices with superior thermal resistance in a PG‑TDSON‑8 package.

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	0,769 €	769,00 €
	0,713 €	1.782,50 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,63 €	3.150,00 €
	0,628 €	6.280,00 €
25.000	Cotización

ISC104N12LM6ATMA1

Fabr.: Infineon Technologies

Descripción: MOSFET IFX FET >100-150V

Especificaciones

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Cumplimiento de productos y comercio

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