Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

¿Ve algún error?

ISC073N12LM6ATMA1

Name: Infineon ISC073N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC073N12LM6ATMA
Price: 2.78 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

726-ISC073N12LM6ATMA

Fabr. N.º:

ISC073N12LM6ATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET IFX FET >100-150V

Hoja de datos:

ISC073N12LM6ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre Infineon Technologies ISC073N12LM6ATMA1

En existencias: 4.584

Existencias:: 4.584

Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 4.800

Fecha prevista: 06/03/2026
Plazo de producción de fábrica:: 26

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	2,78 €	2,78 €
	1,81 €	18,10 €
	1,26 €	126,00 €
	1,08 €	540,00 €
	1,02 €	1.020,00 €
	1,01 €	2.525,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	1,01 €	5.050,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TDSON-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	120 V
Id: corriente de drenaje continuo:	86 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	7.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	14.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	125 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	45 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	18 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns
Alias de parte #:	ISC073N12LM6 SP005586060

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

ISC073N12LM6ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen las innovaciones más recientes y el rendimiento más elevado. La familia OptiMOS 6 utiliza una tecnología de lámina fina que permite obtener beneficios importantes en el rendimiento. En comparación con productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen un R_DS(ON) un 30 % inferior y están optimizados para rectificación síncrona.

MOSFET de canal N OptiMOS™ 3

Los MOSFET de canal N OptiMOS™ 3 de Infineon Technologies ofrecen una baja resistencia de activación en un paquete sin plomo SuperSO8. Los MOSFET OptiMOS 3 aumentan la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento en aplicaciones industriales, de consumo y telecomunicaciones. OptiMOS™ 3 está disponible con MOSFET de canal N de 40 V, 60 V y 80 V, en paquetes SuperSO8 y Shrink SuperSO8 (S3O8). En comparación con los paquetes estándar de contorno de transistores (TO), el SuperSO8 aumenta la densidad de potencia hasta en un 50 por ciento.