IS66WVR4M8ALL-104NLI

ISSI
870-6WVR4M8ALL104NLI
IS66WVR4M8ALL-104NLI

Fabr.:

Descripción:
DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 88

Existencias:
88 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
28 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máximo: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
3,23 € 3,23 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
PSRAM (Pseudo SRAM)
32 Mbit
8 bit
104 MHz
SOIC-8
4 M x 8
7 ns
1.65 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
Marca: ISSI
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad del paquete de fábrica: 100
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro (máx.): 15 mA
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.