IS66WVE2M16EBLL-70BLI

ISSI
870-66E2M16EBLL70BLI
IS66WVE2M16EBLL-70BLI

Fabr.:

Descripción:
SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 959

Existencias:
959 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
14 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máximo: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
4,09 € 4,09 €

Empaquetado alternativo

Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
3,96 €
Min:
1

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: SRAM
RoHS:  
32 Mbit
2 M x 16
70 ns
Parallel
3.6 V
2.7 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
TFBGA-48
Marca: ISSI
Tipo de memoria: SDR
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: SRAM
Serie: IS66WVE2M16EBLL
Cantidad del paquete de fábrica: 480
Subcategoría: Memory & Data Storage
Tipo: Asynchronous
Peso unitario: 86 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320002
JPHTS:
854232021
KRHTS:
8542321010
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.