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IS66WV51216EBLL-55TLI

Name: ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
Brand: ISSI
SKU: 870-66WV512EBLL55TLI
Price: 3.3 EUR
Availability: InStock

Mouser REF:

870-66WV512EBLL55TLI

Fabr. N.º:

IS66WV51216EBLL-55TLI

Fabr.:

ISSI

Descripción:

SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns

Hoja de datos:

IS66WV51216EBLL-55TLI Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	3,08 €	30,80 €
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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	SRAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	8 Mbit
Organización:	512 k x 16
Tiempo de acceso:	55 ns
Tipo de interfaz:	Parallel
Tensión del suministro - Máx:	3.6 V
Tensión del suministro - Mín:	2.5 V
Corriente de suministro (máx.):	28 mA
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Marca:	ISSI
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	SRAM
Serie:	IS66WV51216EBLL
Cantidad del paquete de fábrica:	135
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Peso unitario:	2,870 g

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

IS66WV51216EBLL-55TLI Hoja de datos (PDF)

Models

IS66WV51216EBLL-55TLI Symbol & Footprint by SnapMagic

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TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.