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IQEH84NE2LM7UCGATMA1

Name: Infineon IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH84NE2LM7UCGA
Price: 2.12 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

726-IQEH84NE2LM7UCGA

Fabr. N.º:

IQEH84NE2LM7UCGATMA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Hoja de datos (PDF)

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	1,35 €	13,50 €
	0,92 €	92,00 €
	0,768 €	384,00 €
	0,676 €	676,00 €
	0,626 €	1.565,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 5000)
	0,606 €	3.030,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	25 V
Id: corriente de drenaje continuo:	275 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	840 uOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	16 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2 V
Qg (carga de compuertas):	17.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	107 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	2.4 ns
Transconductancia delantera: mín.:	50 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3 ns
Serie:	OptiMOS 7
Cantidad del paquete de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	18 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	5.1 ns
Alias de parte #:	IQEH84NE2LM7UCG SP005960138

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IQEH84NE2LM7UCGATMA1 Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.