IPW95R310PFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-IPW95R310PFD7XKS
IPW95R310PFD7XKSA1

Fabr.:

Descripción:
MOSFET LOW POWER_NEW

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

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0

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Pedido:
1.200
Fecha prevista: 04/05/2026
Plazo de producción de fábrica:
13
Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,98 € 2,98 €
2,86 € 28,60 €
1,60 € 40,00 €
1,33 € 133,00 €
1,27 € 304,80 €
1,07 € 513,60 €
1,02 € 1.224,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
950 V
17.5 A
310 mOhms
- 30 V, 30 V
3.5 V
61 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Enhancement
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 10 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado: 61 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 13 ns
Alias de parte #: SP005547006
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).